II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩田 普; 難波江 宏一 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP1999112031A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 光の閉じ込めとキャリアの閉じ込めを効果的に行った、温度特性や電気特性に優れ、製作の容易なII-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子を提供する。 【解決手段】 p型クラッド層13は、InPに格子整合するMgZnSeTe系化合物半導体からなり、n型クラッド層12は、MgZnSeTe系化合物半導体とMgZnCdSe系化合物半導体とMgCdSSe系化合物半導体とからなる群より選ばれ、かつ、InPに格子整合する化合物半導体からなる。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1998-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67584]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩田 普,難波江 宏一. II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子. JP1999112031A. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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