面発光レーザダイオードの製造方法,及び面発光レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 森 健三 |
| 发表日期 | 1995-11-28 |
| 专利号 | JP1995312462A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザダイオードの製造方法,及び面発光レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層近傍の、電流ブロック層と上クラッド層間等での無効電流の流れない垂直共振器型面発光レーザダイオードを製造する。 【構成】 {100}面を有する半導体基板1上に〈011〉方向,及び〈01/1〉方向の2辺をもつ矩形開口部10を有する選択成長用マスク9を形成し、上記基板1上に選択成長によりそのメサ部の頂上が〈011〉方向の稜線で終端するような活性層3を含むメサ部を形成し、上記マスク9を除去した後、4つの{111}B面で結晶成長が停止することを利用して、電流ブロック層5,7,及びコンタクト層8を成長する。 【効果】 ウェットエッチングを用いることなく、形状制御性の良いMOCVD法により半導体層を形成して、メサ構造近傍での無効電流の抑制を可能とした。 |
| 公开日期 | 1995-11-28 |
| 申请日期 | 1994-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67602]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 健三. 面発光レーザダイオードの製造方法,及び面発光レーザダイオード. JP1995312462A. 1995-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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