分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 猪口 和彦; 瀧口 治久; 種谷 元隆; 中西 千登勢; 菅原 聰; 工藤 裕章 |
| 发表日期 | 1993-10-29 |
| 专利号 | JP1993283805A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ストライプ溝の全域にわたって均一な回折格子を形成し、発振される光の縦モードを制御する構造と横モードを制御する構造とを有する分布帰還型半導体レーザ素子を、非常に歩留りよく製造し得る方法を提供する。 【構成】 第1の結晶成長工程により、半導体基板10上に、第1クラッド層11、活性層12、光導波路層14を順次形成する。光導波路層14の表面上に回折格子21を形成する。第2の結晶成長工程により、回折格子21の形成された光導波路層14上に、電流阻止層17を形成する。電流阻止層17を回折格子21が露出されるように選択的にエッチングして、ストライプ溝を形成する。第3の結晶成長工程により、ストライプ溝内部を含めた電流阻止層17上に第2クラッド層19を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-10-29 |
| 申请日期 | 1992-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 猪口 和彦,瀧口 治久,種谷 元隆,等. 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法. JP1993283805A. 1993-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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