II-VI族化合物半導体成長用基板
文献类型：专利
| 作者 | 小沢 正文 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996124854A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体成長用基板 |
| 英文摘要 | 【目的】 取り扱いが容易であり、ラッピングや劈開などを行う際に割れなどの損傷が生じないII-VI族化合物半導体成長用基板を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体の成長に用いるGaAs基板またはZnSe基板の厚さを40〜200μmに選ぶことにより、そのそり量|x|が0<|x|≦0mmを満たすようにする。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67609]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文. II-VI族化合物半導体成長用基板. JP1996124854A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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