III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 恵二; 善積 祐介 |
| 发表日期 | 2011-04-14 |
| 专利号 | JP2011073957A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】III族窒化物結晶基板1の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面1sからのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが9×10-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の(0001)面または(000-1)面1cから方向に10°以上80°以下で傾斜したIII族窒化物結晶基板1。 【選択図】図6 |
| 公开日期 | 2011-04-14 |
| 申请日期 | 2009-12-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67621]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 恵二,善積 祐介. III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法. JP2011073957A. 2011-04-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。