半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム
文献类型：专利
| 作者 | 鬼頭 雅弘; 石野 正人; 松井 康 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP1999112096A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム |
| 英文摘要 | 【課題】 広い温度範囲にわたって低しきい値電流および高スロープ効率特性を有する半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAs バッファ層2、n型In0.5Ga0.5Pクラッド層15、n型GaAs光閉じこめ層4、活性層5、p型GaAs光閉じこめ層6、p型 In0.5Ga0.5Pクラッド層16が積層されている。n型クラッド層3、n型光閉じ込め層、活性層5、p型光閉じ込め層、p型クラッド層を含む積層構造はエッチングにより共振器方向にストライプ状に伸びたメサ状に形成されている。活性層はGaAs障壁層11とInNAsP井戸層12から形成されており、発振波長が3μm近傍となるようにInNAsP井戸層12の組成比並びに層厚が設定されている。このような構成とすることにより、GaAs障壁層11とInNAsP井戸層12の伝導帯側のバンドオフセットを200meV以上とし、周囲温度の上昇に対して電子の閉じ込めが十分に行われ、特性が劣化しない。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1998-04-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67639]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鬼頭 雅弘,石野 正人,松井 康. 半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム. JP1999112096A. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。