窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小出 典克; 小池 正好; 加藤 久喜 |
| 发表日期 | 1999-05-21 |
| 专利号 | JP1999135832A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】素子特性及び製造効率を向上させること。 【解決手段】シリコン基板1の上にはAl0.15Ga0.85N から成る層5が形成され、この層5上に、GaN から成る層6が形成されている。層5と層6とで第3の層が構成される。層6上には、SiO2から成る膜厚約2000Åの第1の層2がストライプ状又は格子状に形成されている。第1の層2の上部領域A及び層6の露出部B上にGaN から成る第2の層3を成長させる。このとき、GaN は、層6の露出部BのGaN を核として、面に垂直方向に成長する。そして、第1の層2の上部領域Aでは、層6の露出部B上に成長したGaN を核として、GaN が横方向にエピタキシャル成長する。このように、GaN がGaN を核として縦方向にも横方向にもエピタキシャル成長するので、第1の層2の上部領域Aである横方向成長領域では無転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1999-05-21 |
| 申请日期 | 1997-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67649]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小出 典克,小池 正好,加藤 久喜. 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法. JP1999135832A. 1999-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。