面型半導体光デバイス及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 横内 則之 |
| 发表日期 | 1998-01-06 |
| 专利号 | JP1998004241A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面型半導体光デバイス及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低いしきい値電流及び高い温度で安定して動作し、しかも良好な光学特性を有する面型半導体光デバイスを提供することである。 【解決手段】 本レーザダイオード10は、第1反射鏡部を備えた第1ブロック12と、第2反射鏡部と活性層と第3反射鏡部とを備え、第1ブロック12に接着された第2ブロック14とから構成されている。第1ブロックは、Ga As 基板16上にGa As 層18aとAlAs層18bとを交互に積層させた第1反射鏡部18と、下部電極20とからなる。第2ブロックは、Si/SiO2 層の第3反射鏡部22と、上部電極24、Ga InAsPエッチング停止層26、InPクラッド層28、多重量子井戸活性層30、3層のInP層32aとその間に介在する2層のGa InAsP層32bとからなる第2反射鏡部32とを備えている。第1ブロックと第2ブロックとは、Ga As 層18aとInP層32aとの間で異種材料直接接着技術により接着されている。接着界面は、第2反射鏡部と第3反射鏡部との間でも良い。 |
| 公开日期 | 1998-01-06 |
| 申请日期 | 1996-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67650]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横内 則之. 面型半導体光デバイス及びその作製方法. JP1998004241A. 1998-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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