モノリシツク光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 河野 健治 |
| 发表日期 | 1993-04-30 |
| 专利号 | JP1993110186A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | モノリシツク光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 モノリシック光素子におけるp-nホモ接合を生じさせず、キャパシタンスを小さくし、高速動作を可能とする。 【構成】 場所的に異なる厚みの量子井戸層もしくは多重量子井戸層を有し、かつ機能の異なる2つ以上の機能部が同一半導体基板上に一括成長によって形成されてなるモノリシック光素子である。この光素子は量子井戸層もしくは多重量子井戸層6を挾む第1導電形のクラッド層7および第2導電形のクラッド層5の側面がそれぞれ半絶縁性半導体層14および第2導電形のクラッド層15で覆われている。 |
| 公开日期 | 1993-04-30 |
| 申请日期 | 1991-10-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67651]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河野 健治. モノリシツク光素子およびその製造方法. JP1993110186A. 1993-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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