半導体微細構造の製作方法
文献类型：专利
| 作者 | 平谷 雄二; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1995-08-04 |
| 专利号 | JP1995202164A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体微細構造の製作方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 10nm以下のサイズで精度よく制御された均一性のよい半導体微細構造の製作方法を提供する。 【構成】 半導体基板1面上にマスク3を形成する工程(b)と、該マスクを用いて選択成長あるいはエッチングを行う工程(c),(d)と、該選択成長あるいはエッチング後に前記マスクを除去する工程と、前記マスクを除去した後埋め込み成長を行う工程(e)を有する半導体微細構造の製作方法において、マスクを多孔質陽極酸化膜で構成する。 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67655]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平谷 雄二,菊田 俊夫. 半導体微細構造の製作方法. JP1995202164A. 1995-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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