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屈折率分布構造の形成法、光導波路形成法及び回折格子形成法

文献类型:专利

作者渡邊 賢司; 高森 毅; 上條 健; 加藤 幸雄
发表日期1995-03-31
专利号JP1995084136A
著作权人沖電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名屈折率分布構造の形成法、光導波路形成法及び回折格子形成法
英文摘要【目的】 屈折率分布構造を従来に比べ再現性良くかつ簡易に然も不純物の影響が少なく形成出来る方法を提供すること。 【構成】 In0.534 Ga0.466 As/In0.524 Al0.476 As超格子層15にCr:YAGレーザ(波長約5μm)を約数十分程度選択的に照射する。レーザ強度は試料表面の強度が30W/cm2 程度となるようにする。 【効果】 超格子層15のレーザ照射された領域は、超格子層15の平均組成(In0.529 Ga0.233 Al0.238 As)に相当する混晶化領域15xとなるので、レーザ光非照射部分とは異なる屈折率を示すようになる。
公开日期1995-03-31
申请日期1993-09-20
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67657]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位沖電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
渡邊 賢司,高森 毅,上條 健,等. 屈折率分布構造の形成法、光導波路形成法及び回折格子形成法. JP1995084136A. 1995-03-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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