半導体レーザー素子
文献类型：专利
| 作者 | 辻村 歩; 大川 和宏; 三露 常男 |
| 发表日期 | 1995-12-08 |
| 专利号 | JP1995321409A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 室温以上の温度において青色から紫外に至る領域で発振する半導体レーザー素子を実現する。 【構成】 n型Zn0.91Mg0.09S0.12Se0.88クラッド層3とp型Zn0.80Mg0.20S0.26Se0.74クラッド層6とを、5層からなるZnSe量子井戸層4(厚さ各6nm)と4層からなるZn0.91Mg0.09S0.12Se0.88障壁層5(厚さ各8nm)とで構成される多重量子井戸構造の活性層を介して接合する。 |
| 公开日期 | 1995-12-08 |
| 申请日期 | 1994-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻村 歩,大川 和宏,三露 常男. 半導体レーザー素子. JP1995321409A. 1995-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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