半導体発光素子アレイの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松嶋 朝明; 徳田 潤 |
| 发表日期 | 1994-06-10 |
| 专利号 | JP1994163986A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子アレイの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 発光素子アレイの製造工程を簡素化し、かつ任意の大きさの発光素子アレイを製造可能とすること。 【構成】 この発明の半導体発光素子アレイの製造方法は、任意の大きさの半導体発光素子をアレイ状に形成した半導体発光素子アレイを製造するにあたり、p-n接合を形成したIII-V族半導体基板に全面電極を形成した後、集束イオンビームを用いて基板上の任意の場所をスパッタエッチングすることにより素子分離を行うことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-06-10 |
| 申请日期 | 1992-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67667]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松嶋 朝明,徳田 潤. 半導体発光素子アレイの製造方法. JP1994163986A. 1994-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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