半導体レーザエピタキシャル結晶積層体および半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 天明 二郎; 須郷 満 |
| 发表日期 | 1996-07-30 |
| 专利号 | JP1996195529A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザエピタキシャル結晶積層体および半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 光ファイバ増幅器の励起波長で発振可能であり、狭垂直放射角を有し、高光出力時でも横モードが安定した高信頼性の半導体レーザおよびそれに用いられる半導体レーザエピタキシャル結晶積層体の提供を目的とする。 【構成】 活性層7および9を挟む上下クラッド層3および13と、これらクラッド層と活性層との間に設けられた上下ガイド層5および11との間には、それぞれクラッド層よりも低い屈折率を有する低屈折率層4および12が設けられている。上下クラッド層および上下ガイド層は、そのAl組成または厚さに関して上下で非対称となっていてもよい。 |
| 公开日期 | 1996-07-30 |
| 申请日期 | 1995-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67670]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天明 二郎,須郷 満. 半導体レーザエピタキシャル結晶積層体および半導体レーザ. JP1996195529A. 1996-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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