エピタキシャルウエハー及びそれを用いてなる半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 克司; 長尾 哲; 下山 謙司; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326935A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | エピタキシャルウエハー及びそれを用いてなる半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジストライプ型導波路構造半導体発光装置のストライプ部分の厚みや組成、キャリア濃度の制御を容易に行う。 【解決手段】 基板上に第1導電型第1クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、及び電流が注入されるストライプ領域上に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層、該ストライプ領域の両側を覆う保護膜ならびに該保護膜の更に外側のリッジダミー領域を有する構造が多数形成されてなり、該保護膜の幅Dとリッジ部分の繰り返し幅Lとの比D/Lが0.001以上0.25以下であることを特徴とするエピタキシャルウエハー及び該エピタキシャルウエハーを用いて製造されることを特徴とする半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1998-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67672]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 克司,長尾 哲,下山 謙司,等. エピタキシャルウエハー及びそれを用いてなる半導体発光装置. JP1998326935A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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