量子井戸構造の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊賀 龍三; 山田 武; 杉浦 英雄 |
| 发表日期 | 1993-10-08 |
| 专利号 | JP1993259078A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸構造の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 複雑なプロセス工程を用いず、1回の成長で面内方向に異なった発光波長を持つ量子井戸層を作製する。 【構成】 基板に半導体薄膜を成長させて井戸層と障壁層とからなる量子井戸構造を形成する量子井戸構造の形成方法において、この量子井戸構造の障壁層を形成する際に光照射を行う。 |
| 公开日期 | 1993-10-08 |
| 申请日期 | 1992-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67675]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊賀 龍三,山田 武,杉浦 英雄. 量子井戸構造の形成方法. JP1993259078A. 1993-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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