半導体光集積素子の作製方法及び半導体光集積素子
文献类型：专利
| 作者 | 森岡 達也 |
| 发表日期 | 1999-11-05 |
| 专利号 | JP1999307867A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子の作製方法及び半導体光集積素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来の半導体光集積素子のバットジョイント(突き合わせ結合)構造では、少なくとも2回以上の結晶成長工程が必要であった。また、段差基板上に形成した素子構造の場合には、1回の結晶成長により半導体光集積素子を形成できるが、リッジ構造或いは埋め込み構造を作製することが困難であった。 【解決手段】 本発明の半導体光集積素子の作製方法は、発光素子構成部と、前記発光素子構成部の出射光を導波させる光導波路構成部とからなる半導体光集積素子の製造工程で、半導体基板上に前記発光素子構成部となる[011]あるいは[01-1]方向にストライプ状のメサ部を形成する工程と、前記半導体基板上に少なくとも発光層と、第2クラッド層と、第3クラッド層と、光導波路層と、第4クラッド層とを順次積層する工程を有する。 |
| 公开日期 | 1999-11-05 |
| 申请日期 | 1998-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67679]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森岡 達也. 半導体光集積素子の作製方法及び半導体光集積素子. JP1999307867A. 1999-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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