ZnSeバルク単結晶の製造方法
文献类型:专利
作者 | 梅津 一之; 清水 栄二; 大高 修司; 永田 長寿 |
发表日期 | 1997-02-18 |
专利号 | JP1997048699A |
著作权人 | 同和鉱業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | ZnSeバルク単結晶の製造方法 |
英文摘要 | 【目的】 ルツボからの原料の飛散をおさえて原料の損失と融液組成の変動をなくし、さらに炉内の材料物質やルツボからの汚染を防ぐことにより、高純度で良質な単結晶にするとともに清浄な炉内環境のもとで行うZnSeバルク単結晶の製造方法の提供。 【構成】 垂直ブリッジマン炉または垂直徐冷炉を用いて高圧溶融法により融液からZnSeバルク単結晶を製造する方法において、種結晶上にZnSe原料、封止剤(B2O3やCaF2、AlF3などのフッ素化合物から選ばれる)の順に充填したルツボを高圧炉内で加熱処理することを特徴とし、得られる単結晶は、図1のフォトルミネッセンス スペクトルに見られるように、束縛励起子によるI2などの発光や自由励起子(FE)による発光が見られることから、不純物が極めて少なく、結晶性の良い結晶である。 |
公开日期 | 1997-02-18 |
申请日期 | 1995-08-01 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67688] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 同和鉱業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梅津 一之,清水 栄二,大高 修司,等. ZnSeバルク単結晶の製造方法. JP1997048699A. 1997-02-18. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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