Manufacturing method of a semiconductor emission device
文献类型：专利
| 作者 | ITOU KUNIO; INOUE MORIO; ASAHI KUNIHIKO |
| 发表日期 | 1976-11-24 |
| 专利号 | JP1976135482A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Manufacturing method of a semiconductor emission device |
| 英文摘要 | PURPOSE:An embeded hetero structure emission device which is made to easy to manufacture by coating the side of mesa stripe with a compound mixed crystal semiconductor formed by a thermal decomposition method. |
| 公开日期 | 1976-11-24 |
| 申请日期 | 1975-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67691]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ITOU KUNIO,INOUE MORIO,ASAHI KUNIHIKO. Manufacturing method of a semiconductor emission device. JP1976135482A. 1976-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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