半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源
文献类型：专利
| 作者 | 森本 慎太郎; 森 浩; 山田 敦史 |
| 发表日期 | 2010-04-02 |
| 专利号 | JP2010073708A |
| 著作权人 | ANRITSU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源 |
| 英文摘要 | 【課題】最大位相調整量を拡大した半導体発光素子を提供する。 【解決手段】電流注入を受けて光を発しその光を活性層に沿って伝搬させる発光領域と、その発光領域からの光を導波させる導波路層の屈折率が注入電流に応じて変化する位相調整領域とを有する半導体発光素子において、特性Fのように位相調整領域の導波路層に接する第2p型クラッド層の厚さ方向のドーピング濃度が、導波路層の上端から所定範囲、特に25〜150nmの範囲内で極大値をもつように形成することで、位相調整領域における注入キャリアのオーバーフローの抑制効果が高くなり、屈折率変化に寄与しない無駄な電流を流す必要がなくなり、その結果素子全体としての高効率化が実現できることがわかった。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2010-04-02 |
| 申请日期 | 2008-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67703]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ANRITSU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 慎太郎,森 浩,山田 敦史. 半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源. JP2010073708A. 2010-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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