回折格子の形成方法、回折格子及び光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 中西 宏一郎 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000193813A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 回折格子の形成方法、回折格子及び光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、工程数の少ないプロセスによって、高さの異なる回折格子を作製できる、回折格子の形成方法、回折格子及び光半導体素子を提供する。 【解決手段】 本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。好適には、前記被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンは、電子ビーム露光法を用い、ドーズ量を変化させることによって形成される。また前記マスクパターンは、回折格子部分をなすレジスト被覆領域を該レジストで被覆されていない領域で囲み、該レジスト被覆領域を各々孤立させることによって形成される形態が好ましい。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67706]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 宏一郎. 回折格子の形成方法、回折格子及び光半導体素子. JP2000193813A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。