半導体素子の劈開方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀野 和彦 |
| 发表日期 | 1998-05-22 |
| 专利号 | JP1998135562A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の劈開方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体素子の劈開方法に関し、MgO基板の劈開を利用して短波長半導体レーザの共振器面を形成する。 【解決手段】 MgO基板1上に成長させた半導体層を、MgO基板1の{110}面3の劈開を利用して劈開し、レーザ共振器を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 申请日期 | 1996-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67707]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀野 和彦. 半導体素子の劈開方法. JP1998135562A. 1998-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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