光半導体素子および光通信装置
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋 裕司 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001013472A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子および光通信装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 十分な消光比および高速光通信に好適な非線形性を有する消光カーブ特性を有するEA光変調器を実現する。 【解決手段】 多重量子井戸(Multiple Quantum Well:MQW)構造を吸収層として有する電界印加による量子準位発光波長変化を用いた電界吸収型(Electro Absorption:EA)光変調器において、MQW吸収層の量子井戸層厚を変えることにより、前記電界強度が大きい場所に位置する量子井戸の非電圧印加時量子準位発光波長を同電界強度が小さい場所に位置する量子井戸の非電圧印加時量子準位発光波長よりも短くする。このような構成とすることにより、逆バイアス印加電圧に対する各量子井戸の消光カーブは均一化されたものになり、量子井戸単体が本来有する非線形性の強い消光カーブが維持され、大きな消光比および非線形性の大きな消光カーブを有するEA光変調器が実現される。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67708]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋 裕司. 光半導体素子および光通信装置. JP2001013472A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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