垂直共振器面発光レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | シング·ビラハムパル |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354881A |
| 著作权人 | ADVANTEST CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振器面発光レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ装置の直列抵抗値を低下させる事によって、しきい電流/電圧値が低い垂直共振器面発光レーザを得る。 【解決手段】 本発明の垂直共振器面発光レーザ装置は、半導体基板と、この基板上に形成した第1のDBRミラーと、このミラー上に形成した利得領域である活性層と、この上に形成した第2のDBRミラーとを有し、第1のDBRミラーの上層部および活性層は第1のDBRミラー上に第1のメサを形成し、第2のDBRミラーは活性層上で第1のメサよりも小さい第2のメサを形成し、第1および第2のメサの側面は横方向の酸化処理によって少なくともその一部が酸化されることにより内部に狭い導波路を有し、第1のDBRミラー上に第1の電極を形成し、さらに第1のメサ上であって第2のメサの側面周囲に第2の電極を形成することによって構成されている。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1998-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67709]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ADVANTEST CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | シング·ビラハムパル. 垂直共振器面発光レーザ装置およびその製造方法. JP1999354881A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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