内部狭窄型半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 粒来 保彦; 山本 基幸 |
| 发表日期 | 1994-02-10 |
| 专利号 | JP1994037393A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 内部狭窄型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 内部狭窄型半導体レーザ装置に形成するストライプ状の溝幅の制御性を高めかつ異方性エッチングによるダメージを回避できる構造とその製造方法を提供する点。 【構成】 電流阻止層とダブルヘテロ接合間にエッチングストップ層を設けると共に、電流阻止層を厚さの違う2層構造とし、厚い層を異方性エッチングで、薄い層を等方性エッチングにより処理して、異方性エッチングによるダメージの影響を抑制し、かつ溝の幅の制御性を高めて内部狭窄型半導体レーザ装置の特性を向上する。 |
| 公开日期 | 1994-02-10 |
| 申请日期 | 1992-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67715]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粒来 保彦,山本 基幸. 内部狭窄型半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1994037393A. 1994-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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