窒化物半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石田 昌宏; 古池 進; 上田 大助 |
| 发表日期 | 2008-10-02 |
| 专利号 | JP2008235396A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】p型窒化物半導体層に残留する水素の拡散を防止することにより、高出力で且つ長寿命の窒化物半導体装置を得られるようにする。 【解決手段】窒化物半導体装置は、p型の第1の不純物(Mg)がドーピングされたp型AlGaNからなる超格子クラッド層18を有している。超格子クラッド層18は、その一部に第2の不純物(F)がドーピングされた不純物領域20を有し、不純物領域20の水素濃度は、超格子クラッド層18における不純物領域20を除く領域の水素濃度よりも大きい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-10-02 |
| 申请日期 | 2007-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67723]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 昌宏,古池 進,上田 大助. 窒化物半導体装置及びその製造方法. JP2008235396A. 2008-10-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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