多層材料及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | フランソワーズ·コルマ·レグエ; バーナード·ステイール·マイヤーソン |
| 发表日期 | 1993-05-25 |
| 专利号 | JP1993129201A |
| 著作权人 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多層材料及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 特に700〜900℃の範囲の温度でのデバイス製造プロセスにおいて、デバイス形成層またはエピタキシャル成長の基板層として用いられる最上層の表面に貫通するミスフィット転位の数を低減する。 【構成】 単結晶基板12の上に、格子定数が厚さ1000Å毎に約2%以下変化するグレーディッド組成の複数のエピタキシャル層16、20、22を形成して多層構造を形成する。これらのエピタキシャル層16、20、22では、ミスフィット転位が形成されてひずみが除去され、このミスフィット転位がそれぞれの層の端に移動する。 【効果】 低欠陥密度を有する完全に緩和した不整合構造が得られ、それによって最上層の表面に貫通するミスフィット転位の数が低減される。 |
| 公开日期 | 1993-05-25 |
| 申请日期 | 1992-05-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67740]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | フランソワーズ·コルマ·レグエ,バーナード·ステイール·マイヤーソン. 多層材料及びその製造方法. JP1993129201A. 1993-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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