高出力半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | デミトリィ ザラマノヴィッチ ガルバゾフ; ジヨセフ ハイ エイベルズ; ジョン チャールズ カンリー |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303500A |
| 著作权人 | SARNOFF CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高出力半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】 高い効率と高い出力を有する半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 本発明のレーザダイオードは、導波領域を内部に有する半導体材料からなる本体を含んでいる。この導波領域は、約5×1016/cm3以下のドーピングレベルを有するように、意図的なドーピングが行われていない。導波領域の内部には、光子の光モードを発生させる手段、例えば少なくとも一つの量子井戸量域、が存在している。導波領域の両側には、反対の導電型のクラッド領域が位置している。少なくとも500ナノメートルである導波領域の厚さ、ならびに導波領域およびクラッド領域の組成は、発生する光モードが導波領域からクラッド領域に約5%を超えて重畳しない程度に導波領域中の光モードを閉じ込めるものである。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67752]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SARNOFF CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | デミトリィ ザラマノヴィッチ ガルバゾフ,ジヨセフ ハイ エイベルズ,ジョン チャールズ カンリー. 高出力半導体レーザダイオード. JP1998303500A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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