Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof
文献类型：专利
| 作者 | YABUSHITA, TOMOHITO; KAWAGUCHI, YASUTOSHI; UETA, AKIO; ISHIBASHI, AKIHIKO |
| 发表日期 | 2010-05-13 |
| 专利号 | US20100118905A1 |
| 著作权人 | PANASONIC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof |
| 英文摘要 | A nitride semiconductor laser diode includes a substrate of n-type GaN, and a multilayer structure including an n-type cladding layer of AlxGa1-x N (where 0 |
| 公开日期 | 2010-05-13 |
| 申请日期 | 2009-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67759]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YABUSHITA, TOMOHITO,KAWAGUCHI, YASUTOSHI,UETA, AKIO,et al. Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof. US20100118905A1. 2010-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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