半導体装置及びその使用方法
文献类型：专利
| 作者 | 松田 学 |
| 发表日期 | 1998-09-29 |
| 专利号 | JP1998260381A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその使用方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 長距離伝送に適した光パルスを形成することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 電子及び正孔に対して量子井戸を形成する量子井戸層と、電子及び正孔に対してポテンシャル障壁を形成する障壁層とが、少なくとも1層の量子井戸層と少なくとも2層の障壁層とを含むように交互に積層されている。量子井戸層の厚さ及び量子井戸層と障壁層との界面における価電子帯のポテンシャル障壁の高さが、量子井戸層内に生ずる電界の強さが零の状態において、量子井戸層の価電子帯側の正孔に対する量子準位数を2または3とするように選択されている。量子井戸積層構造に、厚さ方向の電界を印加する電界印加手段を有する。 |
| 公开日期 | 1998-09-29 |
| 申请日期 | 1997-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67761]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 学. 半導体装置及びその使用方法. JP1998260381A. 1998-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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