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光偏向器および光偏向機能付半導体レーザ

文献类型:专利

作者大竹 伸幸; 安部 克則; 森下 敏之
发表日期2009-09-03
专利号JP2009198979A
著作权人株式会社デンソー
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光偏向器および光偏向機能付半導体レーザ
英文摘要【課題】光の偏向角制御を容易にする 【解決手段】半導体レーザ1は、レーザ光を出射するレーザ部2と、レーザ部2から出射されたレーザ光を偏向する光偏向部3とを備える。またレーザ部2及び光偏向部3は、n-GaAs基板上に、n型クラッド層、n型ガイド層、多重量子井戸層、p型ガイド層、p型クラッド層、p型コンタクト層が順次積層されて構成されている。そして光偏向部3の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さは、レーザ部2の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さより薄くなるように設定されている。更に光偏向部3のコンタクト層上には、レーザ光が入射する方向D1に向かって延びる形状に形成され、方向D1に対して垂直な方向D2に沿って一定の所定配置間隔G1で複数配置されたp型電極28が設けられる。 【選択図】図1
公开日期2009-09-03
申请日期2008-02-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67762]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社デンソー
推荐引用方式
GB/T 7714
大竹 伸幸,安部 克則,森下 敏之. 光偏向器および光偏向機能付半導体レーザ. JP2009198979A. 2009-09-03.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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