ZnSeを有する半導体材料
文献类型：专利
| 作者 | 渡部 信一; 只友 一行 |
| 发表日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1993037019A |
| 著作权人 | 三菱電線工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ZnSeを有する半導体材料 |
| 英文摘要 | 【構成】 ZnSe基板1上にGaInP活性層2およびZnSeクラッド層3を順次成長させて、半導体発光素子を作製する。 【効果】 ZnSeは活性層よりもそのバンドギャップが大きく、活性層からの発光を吸収せず、また、ZnSe基板はクラッド層としての機能をも具備しており、基板と活性層との間に特にクラッド層を設ける必要がなく、製造工程が簡略化される。さらに、構成成分としてのAlを排除することができ、素子としての性能、安定性、信頼性が維持される。 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 申请日期 | 1991-05-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67778]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電線工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡部 信一,只友 一行. ZnSeを有する半導体材料. JP1993037019A. 1993-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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