半導体面型発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 麻多 進 |
| 发表日期 | 1993-01-14 |
| 专利号 | JP1993007052A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体面型発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 単一横モードで発振し、しきい値電流の低い半導体面型発光素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板10上に1/4波長多層膜構造からなる第1クラッド層11、発光層12、第2クラッド層13を積層し、所望の方向に細長の第1のマスクパターン21を設け、発光層12の真下までエッチングし、第1のマスクパターン21と交差して第2の細長マスクパターン22を設け第1クラッド層11を基板10までエッチングして、残された第1、第2クラッド層上15,16に電極形成した素子構造を有する。 【効果】 単一横モードが可能な素子サイズでの電流注入が容易となり、低電流動作で高効率のレーザ発振が可能で、光通信や光情報処理用光源に適する。 |
| 公开日期 | 1993-01-14 |
| 申请日期 | 1991-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67779]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 麻多 進. 半導体面型発光素子およびその製造方法. JP1993007052A. 1993-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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