窒化物半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中川 大輔; 田中 良宜 |
| 发表日期 | 2009-11-12 |
| 专利号 | JP2009267231A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】電子ブロック層の影響で発生した応力を緩和し、しきい電流を低下させ、かつ信頼性の低下を抑制できる窒化物半導体レーザを提供する。 【解決手段】n型クラッド層14と、n型クラッド層14上に配置されたn型GaN系ガイド層16と、n型GaN系ガイド層16上に配置された活性層18と、活性層18上に配置されたp型GaN系ガイド層22と、p型GaN系ガイド層22上に配置された電子ブロック層25と、電子ブロック層25上に配置された応力緩和層27と、応力緩和層27上に配置されたp型クラッド層26とを備える窒化物半導体レーザ20。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-11-12 |
| 申请日期 | 2008-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67783]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中川 大輔,田中 良宜. 窒化物半導体レーザ. JP2009267231A. 2009-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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