垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 横川 俊哉; 吉井 重雄 |
| 发表日期 | 1998-06-09 |
| 专利号 | JP1998154850A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低しきい値電流密度で発振する垂直共振器型半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 Siドープn型GaAs基板11の上に、Clドープn型ZnMgSSeエピタキシャル層12、ZnCdSe井戸層及びZnSSeバリア層からなる多重量子井戸層13、Nドープp型ZnMgSSeエピタキシャル層14、Clドープn型ZnSSeエピタキシャル層15、Nドープp型ZnSSeエピタキシャル層16、多結晶SiO2層及び多結晶TiO2層からなるミラー17n及び17p、及びp型AuPd電極18を形成する。また、基板11の裏面には、レーザ光を出射するための窓11aを設けるとともに、n型AuGeNiPd電極19を形成する。Clドープn型ZnSSeエピタキシャル層15を電流ブロック層及び光閉じ込め層として機能させることにより、低しきい値電流密度及び長寿命が達成される。また、効果的な光閉じ込めが実現されて、単一横モードレーザ発振が得られる。 |
| 公开日期 | 1998-06-09 |
| 申请日期 | 1997-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67785]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横川 俊哉,吉井 重雄. 垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法. JP1998154850A. 1998-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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