COMPOSANT EN MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT ET APPLICATION A DIVERS COMPOSANTS EN SEMICONDUCTEURS
文献类型：专利
| 作者 | MANIJEH, RAZEGHI, ET, PAUL-LOUIS, MEUNIER |
| 发表日期 | 1987-09-11 |
| 专利号 | FR2595509A1 |
| 著作权人 | THOMSON CSF |
| 国家 | 法国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | COMPOSANT EN MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT ET APPLICATION A DIVERS COMPOSANTS EN SEMICONDUCTEURS |
| 英文摘要 | L'INVENTION CONCERNE UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT 1 A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT, COMPRENANT UNE SUCCESSION ALTERNEE D'UN PREMIER TYPE DE COUCHES M1-MI ET D'UN DEUXIEME TYPE DE COUCHES N1-NI. LE PARAMETRE DE MAILLE DU PREMIER TYPE DE COUCHES M1-MI EST SENSIBLEMENT ADAPTE A CELUI DU SUBSTRAT LE PARAMETRE DE MAILLE DU DEUXIEME TYPE DE COUCHES N1-NI EST ADAPTE VOIRE EGAL A CELUI DU PREMIER TYPE DE COUCHES. UN COMPOSANT C, AYANT UN PARAMETRE DE MAILLE EGAL A CELUI DU DEUXIEME TYPE DE COUCHES, EST REALISE SUR LA DERNIERE COUCHE NI DU DEUXIEME TYPE. PAR AILLEURS, LES GAPS D'ENERGIE DES DEUX TYPES DE COUCHES SONT DIFFERENTES. |
| 公开日期 | 1987-09-11 |
| 申请日期 | 1986-03-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67787]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | THOMSON CSF |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MANIJEH, RAZEGHI, ET, PAUL-LOUIS, MEUNIER. COMPOSANT EN MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT ET APPLICATION A DIVERS COMPOSANTS EN SEMICONDUCTEURS. FR2595509A1. 1987-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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