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COMPOSANT EN MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT ET APPLICATION A DIVERS COMPOSANTS EN SEMICONDUCTEURS

文献类型:专利

作者MANIJEH, RAZEGHI, ET, PAUL-LOUIS, MEUNIER
发表日期1987-09-11
专利号FR2595509A1
著作权人THOMSON CSF
国家法国
文献子类发明申请
其他题名COMPOSANT EN MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT ET APPLICATION A DIVERS COMPOSANTS EN SEMICONDUCTEURS
英文摘要L'INVENTION CONCERNE UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT 1 A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT, COMPRENANT UNE SUCCESSION ALTERNEE D'UN PREMIER TYPE DE COUCHES M1-MI ET D'UN DEUXIEME TYPE DE COUCHES N1-NI. LE PARAMETRE DE MAILLE DU PREMIER TYPE DE COUCHES M1-MI EST SENSIBLEMENT ADAPTE A CELUI DU SUBSTRAT LE PARAMETRE DE MAILLE DU DEUXIEME TYPE DE COUCHES N1-NI EST ADAPTE VOIRE EGAL A CELUI DU PREMIER TYPE DE COUCHES. UN COMPOSANT C, AYANT UN PARAMETRE DE MAILLE EGAL A CELUI DU DEUXIEME TYPE DE COUCHES, EST REALISE SUR LA DERNIERE COUCHE NI DU DEUXIEME TYPE. PAR AILLEURS, LES GAPS D'ENERGIE DES DEUX TYPES DE COUCHES SONT DIFFERENTES.
公开日期1987-09-11
申请日期1986-03-07
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67787]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位THOMSON CSF
推荐引用方式
GB/T 7714
MANIJEH, RAZEGHI, ET, PAUL-LOUIS, MEUNIER. COMPOSANT EN MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT ET APPLICATION A DIVERS COMPOSANTS EN SEMICONDUCTEURS. FR2595509A1. 1987-09-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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