半導体光集積装置および製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆; 中村 隆宏; 阿江 敬 |
| 发表日期 | 1996-05-31 |
| 专利号 | JP1996139417A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積装置および製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】MOVPE選択成長により形成する、MQWを含む半導体光集積装置において、成長阻止マスク幅の異なる領域間で、井戸層のみの禁制帯幅、及び膜厚を変化させ、成膜のMQWや大きなバンドギャップ差を持つ領域を形成しうるようにする。 【構成】n-InP基板上にマスク幅が領域Iでは狭く、領域IIでは広く、マスク間隙幅は両領域で等しいSiO2 マスクを形成する。MOVPE法により、InGaAsPからなる光ガイド層と、InGaAs井戸層、InGaAsP障壁層からなるMQW活性層とp-InP層を選択成長させる。このとき、井戸層の成長にはV族原料としてAsH3 を用い、その他の層の成長にはTBA、TBPを用いる。 |
| 公开日期 | 1996-05-31 |
| 申请日期 | 1995-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67791]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆,中村 隆宏,阿江 敬. 半導体光集積装置および製造方法. JP1996139417A. 1996-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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