半導体レーザ素子およびその応用装置
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 斉藤 進 |
| 发表日期 | 1995-12-08 |
| 专利号 | JP1995321397A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその応用装置 |
| 英文摘要 | 【構成】導波路形状と電流注入形状を独立に制御して形成し、レーザビームの出射方向あるいはビーム形状を注入電流により制御可能とした半導体レーザ。 【効果】半導体レーザにビーム偏向やビーム形状可変などの新たな機能を付加することが可能になる。 |
| 公开日期 | 1995-12-08 |
| 申请日期 | 1994-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67796]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,斉藤 進. 半導体レーザ素子およびその応用装置. JP1995321397A. 1995-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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