化合物半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 友村 好隆 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326749A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒素とともに少なくとももう1つのV族元素を含むIII-V族化合物半導体の混晶層を分子線エピタキシャル成長させる場合に、結晶性を低下させることなく高窒素組成の混晶層を得ることができる化合物半導体の製造方法を提供する。 【解決手段】 化合物半導体の製造方法においては、原料分子の平均自由工程が基板と分子線源との間の距離より大きくなるように真空排気された結晶成長室内で原料分子線を基板に照射することによって窒素とともに少なくとももう1つのV族元素を含むIII-V族化合物半導体結晶が成長させられ、その際に窒素原料として窒素化合物が用いられ、その窒素化合物の分子は基板の表面に到達した後に分解して窒素原子のみが半導体結晶中に取込まれることを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1998-03-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67815]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 友村 好隆. 化合物半導体の製造方法. JP1998326749A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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