半導体光機能素子
文献类型：专利
| 作者 | 宇高 勝之; 松島 裕一; 堺 和夫; 長尾 康之; 宇佐見 正士 |
| 发表日期 | 1993-02-26 |
| 专利号 | JP1993045692A |
| 著作权人 | 国際電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光機能素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 光の高速性を損なうことなく光出力を光信号で制御する半導体光機能素子を提供することを目的とする。 【構成】 印加電圧を零より増加するにつれ、電流が増加、減少、増加と順次変化する特性を有する共鳴トンネルダイオードと、キャリアを注入することにより光学利得が変化せしめられる活性層と、光吸収層とを少なくとも積層してなり、光照射により該光吸収層において生成されたキャリアに応じて前記共鳴トンネルダイオードのバイアス電圧を制御することにより、前記活性層の光学利得を変化せしめるように動作することを特徴とする半導体光機能素子。 |
| 公开日期 | 1993-02-26 |
| 申请日期 | 1991-08-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67821]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国際電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇高 勝之,松島 裕一,堺 和夫,等. 半導体光機能素子. JP1993045692A. 1993-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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