半導体レ-ザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉武 士郎 |
| 发表日期 | 1994-05-06 |
| 专利号 | JP1994125139A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流集中度の高い電流挟窄層を有し、かつ、製造に際して結晶成長工程の少ない可視光半導体レ-ザの構造とその製造方法を提供する。 【構成】 活性層5の中央部分が、GaAs基板1の(1,0,0)面を有する表面の水平な第1及び第2の主面14、15の間の傾斜面16上に形成され、その中央部分の上には、やはり傾斜面13を有する電流挟窄層7を備え、活性層5の傾斜面上の中央部分とその部分以外の禁制帯幅は、ともにほぼ等しくなっている。また、結晶成長工程が1回のみで、電流挟窄構造と屈折率ガイド構造を合せ持つことができる。 |
| 公开日期 | 1994-05-06 |
| 申请日期 | 1992-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67822]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉武 士郎. 半導体レ-ザ及びその製造方法. JP1994125139A. 1994-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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