青色発光素子およびその製造方法
文献类型:专利
作者 | 高橋 康仁 |
发表日期 | 1994-04-15 |
专利号 | JP1994104533A |
著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 青色発光素子およびその製造方法 |
英文摘要 | 【目的】 500nm付近の発振波長を有する青色発光素子を作製する際、p型層間におけるバンド不連続によるホール注入効率の低下を防ぎ、格子不整合率の極めて小さいDH構造およびイオン注入による電流狭搾構造を有する構造を提供し低しきい値発振を可能とする。 【構成】 p型基板上にp-GaInP、p-AlGaInPを形成した上にII-VI族材料を積層する。この構成にするとバンド不連続が小さくなるとともに障壁幅が狭くなりホールは障壁を感じることなく活性層に注入される。また、活性層とクラッド層間の格子不整合率が0.28%以下になるようにDH構造を形成し、活性層にはZnSeをクラッド層にはCdZnSを用いるため結晶欠陥の極めて少ないDH構造が得られ、屈折率もクラッド層の方が小さいため光も効率よく閉じこめられる。さらにp型クラッド層内にイオン注入領域を形成し、横方向に対する電流狭搾を行う。 |
公开日期 | 1994-04-15 |
申请日期 | 1992-09-22 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67826] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 康仁. 青色発光素子およびその製造方法. JP1994104533A. 1994-04-15. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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