半導体レーザ及び光集積デバイス並びにその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 勝彦 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335977A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び光集積デバイス並びにその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】変調器領域とLD領域の境界などのような境界領域における多重量子井戸層のバンドギャップが急峻に変化するようにして、消光比の低下、挿入損失の増大などの劣化を抑制するとともに、バンドギャップの変化△Egを大きくして種々の光集積デバイスに対応でき、さらに、いわゆるチャープト回折格子あるいはピッチ変調回折格子を備えた光集積デバイスが容易に得られる構造およびその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】リッジ幅および/またはリッジ間隔が導波路方向に沿って変化するリッジ31が予め形成された基板上1に多重量子井戸層4を結晶成長させ、バンドギャップLD領域と変調器領域(分離領域)で急峻に変化する導波路を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67836]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 勝彦. 半導体レーザ及び光集積デバイス並びにその製造方法. JP1995335977A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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