p型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 健; 大井 明彦 |
| 发表日期 | 2000-05-23 |
| 专利号 | JP2000143396A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | p型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】1×1017cm-3以上の高キャリア濃度を有し、発光素子に適したp型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板上に形成され、Mgが添加されたp型窒化ガリウム薄膜において、前記Mgと同時にAlを添加する。 |
| 公开日期 | 2000-05-23 |
| 申请日期 | 1998-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67839]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 健,大井 明彦. p型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法. JP2000143396A. 2000-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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