エピタキシャルウエハの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 隆宏 |
| 发表日期 | 1996-06-21 |
| 专利号 | JP1996162420A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | エピタキシャルウエハの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ウエハ表面を平坦に形成でき、したがってウエハ割れを無くし、作製された素子の特性悪化を防止することができるエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 【構成】 成長ボートを一定の冷却速度で降温して、液相エピタキシャル成長法により、GaAs基板上に素子用GaAlAs層を成長させる(S2,S3)。続いて、上記成長ボートを、上記素子用GaAlAs層の成長中の冷却速度よりも速い冷却速度で降温して、成長界面の偏析現象により、上記素子用GaAlAs層の表面に、この素子用GaAlAs層のAl混晶比よりも高いAl混晶比を持つダミーGaAlAs層を成長させる(S4)。所定のエッチング液を用いて、上記ダミーGaAlAs層を上記素子用GaAlAs層に対して選択的にエッチングして除去する。 |
| 公开日期 | 1996-06-21 |
| 申请日期 | 1994-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 隆宏. エピタキシャルウエハの製造方法. JP1996162420A. 1996-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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