量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤野 陽輔 |
| 发表日期 | 1993-12-24 |
| 专利号 | JP1993343813A |
| 著作权人 | ASAHI GLASS CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】瞬時光学損傷による端面破壊を防止し、より高出力で、かつ動作特性が安定し、高効率で高信頼性を目的とする。 【構成】量子井戸型活性層を、共振器の端面側でのストライプ幅と厚みに対して、内部に向けて徐々にストライプ幅を狭くし、かつ活性層の厚みを厚くしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。 |
| 公开日期 | 1993-12-24 |
| 申请日期 | 1992-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67845]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ASAHI GLASS CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤野 陽輔. 量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法. JP1993343813A. 1993-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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