光集積形半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 脇田 紘一; 吉本 直人; 佐藤 憲史; 杉浦 英雄 |
| 发表日期 | 1997-11-11 |
| 专利号 | JP1997293927A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光集積形半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 光通信及び光計測における光源として高速·低電圧駆動·低チャープ特性を持つ変調器を集積した集積形半導体レーザを提供する。 【解決手段】 光集積形半導体レーザは、半導体レーザ12と、その半導体レーザ12の出射光を位相変化を利用して強度変調する前記半導体レーザと同一の基板上に形成された光強度変調器14a,14bと、これら2素子を同一の光共振器内に構成し、前記半導体レーザ12を直流駆動し、前記強度変調器14a,14bを大振幅動作させて変調光を発生する素子において、前記半導体レーザ12の出射光の偏光方向を光の電界ベクトルの方向が層に直交となるTM偏光とするものである。 |
| 公开日期 | 1997-11-11 |
| 申请日期 | 1996-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67854]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 脇田 紘一,吉本 直人,佐藤 憲史,等. 光集積形半導体レーザ. JP1997293927A. 1997-11-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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