3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 史郎; 永井 誠二; 小池 正好 |
| 发表日期 | 1997-10-31 |
| 专利号 | JP1997283861A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザダイオードの共振器端面の平行度を向上させると共に電流を供給する下層の抵抗を小さくし、発振効率を向上させる【解決手段】レーザダイオードの下層に対する電極を形成するために、上層の一部をエッチングして下層の一部を露出させるエッチングを行い、その後に、上層と下層の電極を形成した後、共振器端面を形成するためのエッチングを行う。電極形成のためのエッチングと共振器端面を形成するエッチングとを分離して行っているため、共振器端面を形成するエンチングを深く実行できるため、エッチング溝の垂直度の高い部分を共振器端面とすることができる。又、電極形成のエッチング溝は端面形成とは別に実行されるため、活性層に電流を供給する下層の厚さがこのエッチングで薄くなることがなく、その層の抵抗を小さくできる。端面形成は電極形成後であるので端面の汚染が防止され、反射率を向上できる。 |
| 公开日期 | 1997-10-31 |
| 申请日期 | 1996-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67872]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 史郎,永井 誠二,小池 正好. 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法. JP1997283861A. 1997-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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