半導体導波路型光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 和利; 三冨 修 |
| 发表日期 | 1995-12-12 |
| 专利号 | JP1995326811A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体導波路型光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】活性層の幅を狭くしても導波光の界分布が広いままで、電極の面積も広くできる、高性能半導体導波路型光素子を得る。 【構成】活性層103上下の上部中間層104と下部中間層の屈折率を活性層103の屈折率より低く、上部と下部のクラッド層より高く、活性層103の幅が上部と下部の中間層104と102の幅より狭くする。 |
| 公开日期 | 1995-12-12 |
| 申请日期 | 1994-05-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67873]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 和利,三冨 修. 半導体導波路型光素子およびその製造方法. JP1995326811A. 1995-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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