半導体導波路素子の製造方法及び構造
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 良治 |
| 发表日期 | 2000-06-23 |
| 专利号 | JP2000174376A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体導波路素子の製造方法及び構造 |
| 英文摘要 | 【課題】 パッシブ導波路とアクティブ素子との境界部において光回路を精度良く作製でき、これらを極めて滑らかにかつ連続的に接続できる半導体導波路素子の製造方法及び構造を提供する。 【解決手段】 半導体基板1上にパッシブ導波路20とアクティブ素子30とをモノリシックに集積する半導体導波路素子の製造方法及び構造において、半導体基板1上に、パッシブ導波路構造層をエピタキシャル成長し、これに連続してアクティブ素子となるダブルヘテロ構造層をエピタキシャル成長し、その表面に上記パッシブ導波路20とアクティブ素子30とを接続する光回路40をパターンニングし、その光回路40となる領域以外の領域をエッチングで除去して光回路40を形成した後、アクティブ素子30として用いる領域以外の領域のダブルヘテロ構造層を選択エッチングで除去してパッシブ導波路20とアクティブ素子30とを形成する。 |
| 公开日期 | 2000-06-23 |
| 申请日期 | 1998-12-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67874]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 良治. 半導体導波路素子の製造方法及び構造. JP2000174376A. 2000-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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